LM258DR2G
Número de pieza:
LM258DR2G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descripción:
IC OPAMP GP 1MHZ 8SOIC
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12906 Pieces
Ficha de datos:
LM258DR2G.pdf

Introducción

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Especificaciones

Alimentación de voltaje, simple / doble (±):3 V ~ 32 V, ±1.5 V ~ 16 V
Voltaje - Offset de entrada:2mV
Paquete del dispositivo:8-SOIC
Velocidad de subida:0.6 V/µs
Serie:-
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tipo de salida:-
Otros nombres:LM258DR2GOSTR
Temperatura de funcionamiento:-25°C ~ 85°C
Número de circuitos:2
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:22 Weeks
Número de pieza del fabricante:LM258DR2G
Producto ganancia-ancho:1MHz
Descripción ampliada:General Purpose Amplifier 2 Circuit 8-SOIC
Descripción:IC OPAMP GP 1MHZ 8SOIC
Suministro de corriente:1.5mA
Corriente - Salida / Canal:40mA
Corriente - polarización de entrada:45nA
Tipo amplificador:General Purpose
Ancho de banda de -3 dB:-
Email:[email protected]

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