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JDP4P02AT(TE85L)
- Número de pieza:
- JDP4P02AT(TE85L)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19220 Pieces
- Ficha de datos:
- JDP4P02AT(TE85L).pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JDP4P02AT(TE85L), tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JDP4P02AT(TE85L) por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 30V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | TESQ |
| Serie: | - |
| Resistencia @ Si, F: | 1.5 Ohm @ 10mA, 100MHz |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | 4-SMD, Flat Leads |
| Otros nombres: | JDP4P02AT(TE85L)TR |
| Temperatura de funcionamiento: | 150°C (TJ) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JDP4P02AT(TE85L) |
| Descripción ampliada: | RF Diode PIN - 2 Independent 30V 50mA TESQ |
| Tipo de diodo: | PIN - 2 Independent |
| Descripción: | SWITCHING DIODE 30V INDEPENDENT |
| Corriente - Max: | 50mA |
| Capacitancia Vr, F: | 0.4pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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