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JDP2S12CR(TE85L,Q
- Número de pieza:
- JDP2S12CR(TE85L,Q
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descripción:
- DIODE PIN 180V 1A S-FLAT
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15136 Pieces
- Ficha de datos:
- JDP2S12CR(TE85L,Q.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JDP2S12CR(TE85L,Q, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JDP2S12CR(TE85L,Q por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - inversa de pico (máxima): | 180V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | S-FLAT (1.6x3.5) |
| Serie: | - |
| Resistencia @ Si, F: | 700 mOhm @ 10mA, 100MHz |
| La disipación de energía (máximo): | - |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | SOD-123F |
| Otros nombres: | JDP2S12CR(TE85LQ)DKR JDP2S12CR(TE85LQ)DKR-ND JDP2S12CR(TE85LQDKR JDP2S12CR(TE85LQMDKR JDP2S12CR(TE85LQMDKR-ND |
| Temperatura de funcionamiento: | 175°C (TJ) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JDP2S12CR(TE85L,Q |
| Descripción ampliada: | RF Diode PIN - Single 180V 1A S-FLAT (1.6x3.5) |
| Tipo de diodo: | PIN - Single |
| Descripción: | DIODE PIN 180V 1A S-FLAT |
| Corriente - Max: | 1A |
| Capacitancia Vr, F: | 1.3pF @ 40V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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