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JANTXV2N6800
- Número de pieza:
- JANTXV2N6800
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- MOSFET N-CH
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 15561 Pieces
- Ficha de datos:
- JANTXV2N6800.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JANTXV2N6800, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JANTXV2N6800 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-205AF (TO-39) |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/557 |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.1 Ohm @ 3A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | TO-205AF Metal Can |
| Otros nombres: | JANTXV2N6800-MIL |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JANTXV2N6800 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 34.75nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 400V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 400V |
| Descripción: | MOSFET N-CH |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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