JANTXV1N6630US
Número de pieza:
JANTXV1N6630US
Fabricante:
Microsemi
Descripción:
DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
15576 Pieces
Ficha de datos:
JANTXV1N6630US.pdf

Introducción

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Especificaciones

Tensión - directo (Vf) (Max) Si @:1.4V @ 1.4A
Voltaje - Inverso (Vr) (máx):1000V (1kV)
Paquete del dispositivo:D-5B
Velocidad:Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie:Military, MIL-PRF-19500/590
Tiempo de recuperación inversa (trr):50ns
embalaje:Bulk
Paquete / Cubierta:SQ-MELF, E
Otros nombres:1086-19997
1086-19997-MIL
Temperatura de funcionamiento - Junction:-65°C ~ 150°C
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:JANTXV1N6630US
Descripción ampliada:Diode Standard 1000V (1kV) 1.4A Surface Mount D-5B
Tipo de diodo:Standard
Descripción:DIODE GEN PURP 1KV 1.4A E-MELF
Corriente - Fuga inversa a Vr:2µA @ 1000V
Corriente - rectificada media (Io):1.4A
Capacitancia Vr, F:-
Email:[email protected]

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