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JAN1N6312US
- Número de pieza:
- JAN1N6312US
- Fabricante:
- Microsemi
- Descripción:
- DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 14523 Pieces
- Ficha de datos:
- JAN1N6312US.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para JAN1N6312US, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para JAN1N6312US por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Zener (Nombre) (Vz): | 3.3V |
|---|---|
| Tensión - directo (Vf) (Max) Si @: | 1.4V @ 1A |
| Tolerancia: | ±5% |
| Paquete del dispositivo: | DO-35 |
| Serie: | Military, MIL-PRF-19500/533 |
| Potencia - Max: | 500mW |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Otros nombres: | 1086-15927 1086-15927-MIL |
| Temperatura de funcionamiento: | -65°C ~ 175°C |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | JAN1N6312US |
| Impedancia (Max) (ZZT): | 27 Ohm |
| Descripción ampliada: | Zener Diode 500mW ±5% Through Hole DO-35 |
| Descripción: | DIODE ZENER 3.3V 500MW DO35 |
| Corriente - Fuga inversa a Vr: | 5µA @ 1V |
| Email: | [email protected] |
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