Comprar J112_D27Z con BYCHPS
Compre con garantía
J112_D27Z
- Número de pieza:
- J112_D27Z
- Fabricante:
- Fairchild/ON Semiconductor
- Descripción:
- JFET N-CH 35V 625MW TO92
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19306 Pieces
- Ficha de datos:
- J112_D27Z.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para J112_D27Z, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para J112_D27Z por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Tensión - Cutoff (VGS apagado) @Id: | 1V @ 1µA |
|---|---|
| Tensión - Breakdown (V (BR) GSS): | 35V |
| Paquete del dispositivo: | TO-92-3 |
| Serie: | - |
| Resistencia - RDS (on): | 50 Ohm |
| Potencia - Max: | 625mW |
| embalaje: | Tape & Reel (TR) |
| Paquete / Cubierta: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Otros nombres: | J112_D27Z-ND J112_D27ZTR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 9 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | J112_D27Z |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Descripción ampliada: | JFET N-Channel 5mA @ 15V 625mW Through Hole TO-92-3 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | - |
| Descripción: | JFET N-CH 35V 625MW TO92 |
| Actual - dren (IDSS) @ Vds (Vgs = 0): | 5mA @ 15V |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de J112_D27Z
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
TF414T5G | ON Semiconductor | IC JFET N-CH 40V XDFN3 | Investigación |
 |
J112_D11Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | Investigación |
 |
2N5458G | ON Semiconductor | JFET N-CH 25V 0.31W TO92 | Investigación |
|
KSK30YTA | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 50V 0.1W TO92 | Investigación |
|
J112_D26Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | Investigación |
|
J112 | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | Investigación |
 |
BFR30LT1G | ON Semiconductor | JFET N-CH 225MW SOT23 | Investigación |
|
J112_D74Z | Fairchild/ON Semiconductor | JFET N-CH 35V 625MW TO92 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog