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IXTT3N200P3HV
- Número de pieza:
- IXTT3N200P3HV
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo por exención / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17890 Pieces
- Ficha de datos:
- IXTT3N200P3HV.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTT3N200P3HV, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTT3N200P3HV por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-268 |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 8 Ohm @ 1.5A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 520W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IXTT3N200P3HV |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1860pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 70nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 2000V (2kV) 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 2000V (2kV) |
| Descripción: | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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