IXTQ86N20T
IXTQ86N20T
Número de pieza:
IXTQ86N20T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15512 Pieces
Ficha de datos:
IXTQ86N20T.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:29 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):480W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTQ86N20T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4500pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:90nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 86A (Tc) 480W (Tc) Through Hole TO-3P
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 86A TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:86A (Tc)
Email:[email protected]

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