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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTQ120N20P
IXTQ120N20P
IXTQ120N20P
Número de pieza:
IXTQ120N20P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16057 Pieces
Ficha de datos:
IXTQ120N20P.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-3P
Serie:PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs:22 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):714W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-3P-3, SC-65-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTQ120N20P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:152nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 120A (Tc) 714W (Tc) Through Hole TO-3P
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:120A (Tc)
Email:[email protected]

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