español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTP160N10T
IXTP160N10T
IXTP160N10T
Número de pieza:
IXTP160N10T
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17707 Pieces
Ficha de datos:
IXTP160N10T.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTP160N10T, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTP160N10T por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXTP160N10T con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:TrenchMV™
RDS (Max) @Id, Vgs:7 mOhm @ 25A, 10V
La disipación de energía (máximo):430W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTP160N10T
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:6600pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:132nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 160A (Tc) 430W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 160A TO-220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:160A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXTP160N10T

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXTP16N50P Image IXTP16N50P IXYS MOSFET N-CH 500V 16A TO-220 Investigación
IXTP15N50L2 Image IXTP15N50L2 IXYS MOSFET N-CH 500V 15A TO-220 Investigación
IXTP12N50PM Image IXTP12N50PM IXYS MOSFET N-CH 500V 6A TO-220 Investigación
IXTP160N04T2 Image IXTP160N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 160A TO-220 Investigación
IXTP160N085T Image IXTP160N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 160A TO-220 Investigación
IXTP1N80 Image IXTP1N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 750MA TO-220AB Investigación
IXTP182N055T Image IXTP182N055T IXYS MOSFET N-CH 55V 182A TO-220 Investigación
IXTP1N100 Image IXTP1N100 IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-220AB Investigación
IXTP100N04T2 Image IXTP100N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 100A TO-220 Investigación
IXTP160N075T Image IXTP160N075T IXYS MOSFET N-CH 75V 160A TO-220 Investigación
IXTP1R4N120P Image IXTP1R4N120P IXYS MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO-220 Investigación
IXTP120P065T Image IXTP120P065T IXYS MOSFET P-CH 65V 120A TO-220 Investigación
IXTP1R4N100P Image IXTP1R4N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO-220 Investigación
IXTP170N075T2 Image IXTP170N075T2 IXYS MOSFET N-CH 75V 170A TO-220 Investigación
IXTP120N04T2 Image IXTP120N04T2 IXYS MOSFET N-CH 40V 120A TO-220 Investigación
IXTP10P15T Image IXTP10P15T IXYS MOSFET P-CH 150V 10A TO-220 Investigación
IXTP152N085T Image IXTP152N085T IXYS MOSFET N-CH 85V 152A TO-220 Investigación

Latest Noticias