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IXTN660N04T4
- Número de pieza:
- IXTN660N04T4
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 18056 Pieces
- Ficha de datos:
- 1.IXTN660N04T4.pdf2.IXTN660N04T4.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTN660N04T4, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTN660N04T4 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±15V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | SOT-227B |
| Serie: | TrenchT4™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 0.85 mOhm @ 100A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 1040W (Tc) |
| embalaje: | Bulk |
| Paquete / Cubierta: | SOT-227-4, miniBLOC |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Chassis Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IXTN660N04T4 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 44000pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 860nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | Current Sensing |
| Descripción ampliada: | N-Channel 40V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 40V |
| Descripción: | 40V/660A TRENCHT4 PWR MOSFET SOT |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 660A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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