IXTN17N120L
IXTN17N120L
Número de pieza:
IXTN17N120L
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17863 Pieces
Ficha de datos:
IXTN17N120L.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:900 mOhm @ 8.5A, 20V
La disipación de energía (máximo):540W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTN17N120L
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8300pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:155nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1200V (1.2kV) 15A 540W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1200V 15A SOT-227B
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:15A
Email:[email protected]

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