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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXTK160N20
IXTK160N20
IXTK160N20
Número de pieza:
IXTK160N20
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 200V 160A TO-264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
17726 Pieces
Ficha de datos:
IXTK160N20.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-264 (IXTK)
Serie:MegaMOS™
RDS (Max) @Id, Vgs:13 mOhm @ 500mA, 10V
La disipación de energía (máximo):730W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-264-3, TO-264AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXTK160N20
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:12900pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:415nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 200V 160A (Tc) 730W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:200V
Descripción:MOSFET N-CH 200V 160A TO-264
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:160A (Tc)
Email:[email protected]

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