Comprar IXTH50P085 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-247 (IXTH) |
Serie: | - |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 55 mOhm @ 25A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IXTH50P085 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4200pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 150nC @ 10V |
Tipo FET: | P-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | P-Channel 85V 50A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 85V |
Descripción: | MOSFET P-CH 85V 50A TO-247AD |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |