Comprar IXTH360N055T2 con BYCHPS
Compre con garantía
IXTH360N055T2
- Número de pieza:
- IXTH360N055T2
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 55V 360A TO-247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17825 Pieces
- Ficha de datos:
- IXTH360N055T2.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXTH360N055T2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXTH360N055T2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247 (IXTH) |
| Serie: | TrenchT2™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.4 mOhm @ 100A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 935W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IXTH360N055T2 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 20000pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 330nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 55V 360A (Tc) 935W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 55V 360A TO-247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 360A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXTH360N055T2
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXTH34N65X2 | IXYS | MOSFET N-CH 650V 34A TO-247 | Investigación |
|
IXTH36P15P | IXYS | MOSFET P-CH 150V 36A TO-247 | Investigación |
|
IXTH32N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 32A TO-247 | Investigación |
|
IXTH30N60P | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | Investigación |
|
IXTH30N60L2 | IXYS | MOSFET N-CH 600V 30A TO-247 | Investigación |
|
IXTH36P10 | IXYS | MOSFET P-CH 100V 36A TO-247 | Investigación |
|
IXTH3N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 3A TO-247 | Investigación |
|
IXTH36N20T | IXYS | MOSFET N-CH 200V 36A TO-247 | Investigación |
|
IXTH3N150 | IXYS | MOSFET N-CH 1500V 3A TO-247 | Investigación |
|
IXTH3N120 | IXYS | MOSFET N-CH 1200V 3A TO-247 | Investigación |
|
IXTH30N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 30A TO-247 | Investigación |
|
IXTH30N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | Investigación |
|
IXTH340N04T4 | IXYS | MOSFET N-CH 40V 340A | Investigación |
|
IXTH36N50P | IXYS | MOSFET N-CH 500V 36A TO-247 | Investigación |
|
IXTH30N50L | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | Investigación |
|
IXTH32P20T | IXYS | MOSFET P-CH 200V 32A TO-247 | Investigación |
|
IXTH3N200P3HV | IXYS | MOSFET N-CH 2000V 3A TO-247 | Investigación |
|
IXTH30N50L2 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 30A TO-247 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers