IXTA80N12T2
IXTA80N12T2
Número de pieza:
IXTA80N12T2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 120V 80A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13627 Pieces
Ficha de datos:
IXTA80N12T2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (IXTA)
Serie:TrenchT2™
RDS (Max) @Id, Vgs:17 mOhm @ 40A, 10V
La disipación de energía (máximo):325W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:10 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXTA80N12T2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4740pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:80nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 120V 80A (Tc) 325W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:120V
Descripción:MOSFET N-CH 120V 80A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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