español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFX38N80Q2
IXFX38N80Q2
IXFX38N80Q2
Número de pieza:
IXFX38N80Q2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12191 Pieces
Ficha de datos:
IXFX38N80Q2.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFX38N80Q2, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFX38N80Q2 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXFX38N80Q2 con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 8mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PLUS247™-3
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:220 mOhm @ 19A, 10V
La disipación de energía (máximo):735W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-247-3
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFX38N80Q2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8340pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:190nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 38A (Tc) 735W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 38A PLUS247
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:38A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXFX38N80Q2

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXFX360N15T2 Image IXFX360N15T2 IXYS MOSFET N-CH 150V 360A PLUS247 Investigación
IXFX30N50Q Image IXFX30N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 30A PLUS247 Investigación
IXFX30N110P Image IXFX30N110P IXYS MOSFET N-CH 1100V 30A PLUS247 Investigación
STF6N52K3 Image STF6N52K3 STMicroelectronics MOSFET N-CH 525V 5.0A TO220FP Investigación
IXFX32N100P Image IXFX32N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 Investigación
IXFX200N10P Image IXFX200N10P IXYS MOSFET N-CH 100V 200A PLUS247 Investigación
IXFX30N100Q2 Image IXFX30N100Q2 IXYS MOSFET N-CH 1000V 30A PLUS247 Investigación
IXFX32N90P Image IXFX32N90P IXYS MOSFET N-CH 900V 32A PLUS247 Investigación
IXFX32N80Q3 Image IXFX32N80Q3 IXYS MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 Investigación
AOTF8T50P Image AOTF8T50P Alpha & Omega Semiconductor Inc. MOSFET N-CH Investigación
IPA60R199CPXKSA1 Image IPA60R199CPXKSA1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 650V 16A TO220-3 Investigación
IXFX32N50 Image IXFX32N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 Investigación
IXFX32N80P Image IXFX32N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 32A PLUS247 Investigación
IXFX34N80 Image IXFX34N80 IXYS MOSFET N-CH 800V 34A PLUS247 Investigación
CEDM7001VL TR Image CEDM7001VL TR Central Semiconductor Corp MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883 Investigación
IXFX32N50Q Image IXFX32N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 32A PLUS247 Investigación
IXFX32N100Q3 Image IXFX32N100Q3 IXYS MOSFET N-CH 1000V 32A PLUS247 Investigación
IRFR320TRRPBF Image IRFR320TRRPBF Vishay Siliconix MOSFET N-CH 400V 3.1A DPAK Investigación
IXFX320N17T2 Image IXFX320N17T2 IXYS MOSFET N-CH 170V 320A PLUS247 Investigación
IXFX360N10T Image IXFX360N10T IXYS MOSFET N-CH 100V 360A PLUS247 Investigación

Latest Noticias