IXFV30N60P
IXFV30N60P
Número de pieza:
IXFV30N60P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18565 Pieces
Ficha de datos:
IXFV30N60P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PLUS220
Serie:HiPerFET™, PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs:240 mOhm @ 15A, 10V
La disipación de energía (máximo):500W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3, Short Tab
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFV30N60P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:82nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 600V 30A (Tc) 500W (Tc) Through Hole PLUS220
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:600V
Descripción:MOSFET N-CH 600V 30A PLUS220
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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