español
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Suomi Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska✕
Acerca de nosotros | Contáctenos | Solicitar presupuesto |
Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-FETs, MOSFETs-escoja > IXFT28N50Q
IXFT28N50Q
IXFT28N50Q
Número de pieza:
IXFT28N50Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3)
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15200 Pieces
Ficha de datos:
IXFT28N50Q.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFT28N50Q, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFT28N50Q por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Comprar IXFT28N50Q con BYCHPS
Compre con garantía

Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 4mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-268
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:200 mOhm @ 14A, 10V
La disipación de energía (máximo):375W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFT28N50Q
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:3000pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:94nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 500V 28A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount TO-268
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:500V
Descripción:MOSFET N-CH 500V 28A TO-268(D3)
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:28A (Tc)
Email:[email protected]

Solicitud de Cotización rápida

Número de pieza
Cantidad
Empresa
Email
Teléfono
Notas/Comentarios

partes relacionadas de IXFT28N50Q

Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
IXFT26N50Q Image IXFT26N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 Investigación
IXFT24N80P Image IXFT24N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 24A TO-268 Investigación
TPW4R50ANH,L1Q Image TPW4R50ANH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 100V 92A 8DSOP Investigación
IXFT26N60Q Image IXFT26N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 Investigación
IXFT24N90P Image IXFT24N90P IXYS MOSFET N-CH TO-268 Investigación
IXFT24N50Q Image IXFT24N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 Investigación
IXFT20N80P Image IXFT20N80P IXYS MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 Investigación
IXFT26N50 Image IXFT26N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 26A TO-268 Investigación
PMV45EN2R Image PMV45EN2R Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 30V SOT23 Investigación
IXFT20N60Q Image IXFT20N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 20A TO-268 Investigación
BUK7626-100B,118 Image BUK7626-100B,118 Nexperia USA Inc. MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK Investigación
IXFT23N60Q Image IXFT23N60Q IXYS MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3) Investigación
IRF6644TR1 Image IRF6644TR1 Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V DIRECTFET-MN Investigación
CSD18535KTT Texas Instruments MOSFET N-CH 60V 200A Investigación
IXFT23N80Q Image IXFT23N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 23A TO-268(D3) Investigación
IXFT26N60P Image IXFT26N60P IXYS MOSFET N-CH 600V 26A TO-268 D3 Investigación
IXFT24N50 Image IXFT24N50 IXYS MOSFET N-CH 500V 24A TO-268 Investigación
IXFT21N50Q Image IXFT21N50Q IXYS MOSFET N-CH 500V 21A TO-268 Investigación
IXFT20N100P Image IXFT20N100P IXYS MOSFET N-CH 1000V 20A TO-268 Investigación
IXFT20N80Q Image IXFT20N80Q IXYS MOSFET N-CH 800V 20A TO-268 Investigación

Latest Noticias