Comprar IXFR180N15P con BYCHPS
Compre con garantía
IXFR180N15P
- Número de pieza:
- IXFR180N15P
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17955 Pieces
- Ficha de datos:
- IXFR180N15P.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFR180N15P, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFR180N15P por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | ISOPLUS247™ |
| Serie: | HiPerFET™, PolarHT™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 13 mOhm @ 90A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | ISOPLUS247™ |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IXFR180N15P |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 7000pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 240nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 150V 100A (Tc) 300W (Tc) Through Hole ISOPLUS247™ |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 150V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 150V 100A ISOPLUS247 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IXFR180N15P
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IXFR140N20P | IXYS | MOSFET N-CH 200V 90A ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFR180N07 | IXYS | MOSFET N-CH 70V 180A ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFR10N100Q | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 9A ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFR180N10 | IXYS | MOSFET N-CH 100V 165A ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFR15N100P | IXYS | MOSFET N-CH 1000V ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFR18N90P | IXYS | MOSFET N-CH 900V ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFR15N100Q3 | IXYS | MOSFET N-CH 1000V 10A ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFR12N120P | IXYS | MOSFET N-CH 1200V ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFR180N06 | IXYS | MOSFET N-CH 60V 180A ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFR180N085 | IXYS | MOSFET N-CH 85V 180A ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFR100N25 | IXYS | MOSFET N-CH 250V 87A ISOPLUS247 | Investigación |
|
IXFR13N50 | IXYS | MOSFET N-CH 500V 13A ISOPLUS247 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog