Comprar IXFP4N85XM con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 5.5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-220 |
Serie: | HiPerFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 2.5 Ohm @ 2A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 35W (Tc) |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 Full Pack |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 10 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IXFP4N85XM |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 247pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 7nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 850V 3.5A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 850V |
Descripción: | MOSFET N-CH 80V 3.5A TO220 |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 3.5A (Tc) |
Email: | [email protected] |