IXFI7N80P
Número de pieza:
IXFI7N80P
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
15114 Pieces
Ficha de datos:
IXFI7N80P.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:5V @ 1mA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263
Serie:HiPerFET™, PolarHT™
RDS (Max) @Id, Vgs:1.44 Ohm @ 3.5A, 10V
La disipación de energía (máximo):200W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFI7N80P
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1890pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:32nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 800V 7A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-263
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:800V
Descripción:MOSFET N-CH 800V 7A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

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