Comprar IXFH58N20 con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 4mA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-247AD (IXFH) |
Serie: | HiPerFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 40 mOhm @ 29A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 8 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IXFH58N20 |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4400pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 220nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
Descripción: | MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 58A (Tc) |
Email: | [email protected] |