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IXFH35N30
- Número de pieza:
- IXFH35N30
- Fabricante:
- IXYS Corporation
- Descripción:
- MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 12786 Pieces
- Ficha de datos:
- IXFH35N30.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXFH35N30, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXFH35N30 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 4mA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-247AD (IXFH) |
| Serie: | HiPerFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 100 mOhm @ 500mA, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 300W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-247-3 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Número de pieza del fabricante: | IXFH35N30 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4800pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 200nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 300V 35A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH) |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 300V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 300V 35A TO-247AD |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 35A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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