IXFB30N120Q2
Número de pieza:
IXFB30N120Q2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16269 Pieces
Ficha de datos:
IXFB30N120Q2.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:-
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:ISOPLUS264™
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:-
La disipación de energía (máximo):-
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:ISOPLUS264™
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IXFB30N120Q2
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1200V (1.2kV) 30A (Tc) Through Hole ISOPLUS264™
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1200V (1.2kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1200V 30A PLUS264
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:30A (Tc)
Email:[email protected]

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