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IXFA4N100Q-TRL
IXFA4N100Q-TRL
Número de pieza:
IXFA4N100Q-TRL
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19487 Pieces
Ficha de datos:
IXFA4N100Q-TRL.pdf
Investigación

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4.5V @ 1.5mA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-263 (IXFA)
Serie:HiPerFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:3 Ohm @ 2A, 10V
La disipación de energía (máximo):150W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:IXFA4N100Q TRL
IXFA4N100Q-TRL-ND
IXFA4N100Q-TRLTR
IXFA4N100QTRL
Q6067406
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:8 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXFA4N100Q-TRL
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:39nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 1000V (1kV) 4A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXFA)
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:1000V (1kV)
Descripción:MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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Imagen Número de pieza Fabricantes Descripción Ver
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