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Casa > Productos > Productos Semiconductores Discretos > Transistores-IGBTs-módulos > IXDN55N120D1
IXDN55N120D1
IXDN55N120D1
Número de pieza:
IXDN55N120D1
Fabricante:
IXYS Corporation
Descripción:
IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
16480 Pieces
Ficha de datos:
IXDN55N120D1.pdf
Investigación

Introducción

BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IXDN55N120D1, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IXDN55N120D1 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
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Especificaciones

Tensión - Colector-emisor (máx):1200V
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic:2.8V @ 15V, 55A
Paquete del dispositivo:SOT-227B
Serie:-
Potencia - Max:450W
Paquete / Cubierta:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de funcionamiento:-40°C ~ 150°C (TJ)
termistor NTC:No
Tipo de montaje:Chassis Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IXDN55N120D1
Capacitancia de entrada (CIES) @ Vce:3.3nF @ 25V
Entrada:Standard
Tipo de IGBT:NPT
Descripción ampliada:IGBT Module NPT Single 1200V 100A 450W Chassis Mount SOT-227B
Descripción:IGBT 1200V 100A W/DIODE SOT-227B
Corriente - corte del colector (Max):3.8mA
Corriente - colector (Ic) (Max):100A
Configuración:Single
Email:[email protected]

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