ISL9N302AS3
Número de pieza:
ISL9N302AS3
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
19359 Pieces
Ficha de datos:
ISL9N302AS3.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-262AA
Serie:UltraFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:2.3 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo):345W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Temperatura de funcionamiento:-
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:ISL9N302AS3
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:11000pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:300nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 75A (Tc) 345W (Tc) Through Hole TO-262AA
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 75A TO-262AA
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:75A (Tc)
Email:[email protected]

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