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IS43DR86400E-3DBLI
- Número de pieza:
- IS43DR86400E-3DBLI
- Fabricante:
- ISSI (Integrated Silicon Solution, Inc.)
- Descripción:
- IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12454 Pieces
- Ficha de datos:
- IS43DR86400E-3DBLI.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IS43DR86400E-3DBLI, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IS43DR86400E-3DBLI por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| Suministro de voltaje: | 1.7 V ~ 1.9 V |
|---|---|
| Paquete del dispositivo: | 60-TWBGA (10.5x8) |
| Velocidad: | 333MHz |
| Serie: | - |
| embalaje: | Tray |
| Paquete / Cubierta: | 60-TFBGA |
| Otros nombres: | 706-1561 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memoria: | Volatile |
| Tamaño de la memoria: | 512Mb (64M x 8) |
| Formato de memoria: | DRAM |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 12 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IS43DR86400E-3DBLI |
| Interfaz: | Parallel |
| Descripción: | IC SDRAM 512MBIT 333MHZ 60BGA |
| Email: | [email protected] |
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