Comprar IRLU2905Z con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | I-Pak |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 13.5 mOhm @ 36A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 110W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Otros nombres: | *IRLU2905Z |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IRLU2905Z |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1570pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 35nC @ 5V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 55V 42A (Tc) 110W (Tc) Through Hole I-Pak |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 55V |
Descripción: | MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 42A (Tc) |
Email: | [email protected] |