Comprar IRLS4030PBF con BYCHPS
Compre con garantía
IRLS4030PBF
- Número de pieza:
- IRLS4030PBF
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 16148 Pieces
- Ficha de datos:
- IRLS4030PBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRLS4030PBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRLS4030PBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 4.3 mOhm @ 110A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 370W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | SP001568730 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRLS4030PBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 11360pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 130nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 180A (Tc) 370W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRLS4030PBF
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLS4030TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 180A D2PAK | Investigación |
 |
MTM862270LBF | Panasonic Electronic Components | MOSFET N-CH 20V 2.2A WSSMINI6 | Investigación |
 |
IRLS4030TRL7PP | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | Investigación |
 |
SPN01N60C3 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 0.3A SOT-223 | Investigación |
|
IRLS4030-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | Investigación |
 |
RCJ081N20TL | Rohm Semiconductor | MOSFET N-CH 200V 8A LPT | Investigación |
 |
DMTH4004SCTB-13 | Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T&R | Investigación |
 |
IPD90P04P405AUMA1 | Infineon Technologies | MOSFET P-CH 40V 90A TO252-3 | Investigación |
 |
IPW60R280E6 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 600V 13.8A TO247 | Investigación |
|
IRLL3303TR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223 | Investigación |
 |
SPP80N10L | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 80A TO-220 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers