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IRLML6302TR
- Número de pieza:
- IRLML6302TR
- Descripción:
- MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 16947 Pieces
- Ficha de datos:
- IRLML6302TR.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRLML6302TR, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRLML6302TR por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | Micro3™/SOT-23 |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
| La disipación de energía (máximo): | 540mW (Ta) |
| embalaje: | Cut Tape (CT) |
| Paquete / Cubierta: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Otros nombres: | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRLML6302TR |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 97pF @ 15V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 3.6nC @ 4.45V |
| Tipo FET: | P-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 20V |
| Descripción: | MOSFET P-CH 20V 780MA SOT-23 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 780mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
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