IRLL3303PBF
Número de pieza:
IRLL3303PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18104 Pieces
Ficha de datos:
IRLL3303PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:1V @ 250µA
Vgs (Max):±16V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:SOT-223
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:31 mOhm @ 4.6A, 10V
La disipación de energía (máximo):1W (Ta)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-261-4, TO-261AA
Otros nombres:SP001567232
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRLL3303PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:840pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:50nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 4.6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):4.5V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 4.6A SOT223
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:4.6A (Ta)
Email:[email protected]

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