Comprar IRLH5030TR2PBF con BYCHPS
Compre con garantía
IRLH5030TR2PBF
- Número de pieza:
- IRLH5030TR2PBF
- Descripción:
- MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 15964 Pieces
- Ficha de datos:
- IRLH5030TR2PBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRLH5030TR2PBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRLH5030TR2PBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.5V @ 150µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | PQFN (5x6) Single Die |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 9 mOhm @ 50A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 3.6W (Ta), 156W (Tc) |
| embalaje: | Original-Reel® |
| Paquete / Cubierta: | 8-PowerVDFN |
| Otros nombres: | IRLH5030TR2PBFDKR |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRLH5030TR2PBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5185pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 94nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 100V 13A (Ta), 100A (Tc) 3.6W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount PQFN (5x6) Single Die |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 13A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRLH5030TR2PBF
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IRLH5034TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 5X6 PQFN | Investigación |
|
IRLH5034TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 40V 100A 8-PQFN | Investigación |
|
IRLH5030TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 13A 8PQFN | Investigación |
 |
STI42N65M5 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 650V 33A I2PAK | Investigación |
 |
TK40P04M1(T6RSS-Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 40V 40A 3DP 2-7K1A | Investigación |
 |
PSMN027-100XS,127 | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V 23.4A TO220F | Investigación |
|
IRLH5036TR2PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 5X6 PQFN | Investigación |
|
IRLH5036TRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 100A 8-PQFN | Investigación |
 |
STP60NF03L | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 30V 60A TO-220 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog