Comprar IRL640S con BYCHPS
Compre con garantía
IRL640S
- Número de pieza:
- IRL640S
- Fabricante:
- Vishay / Siliconix
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Contiene plomo / RoHS no conforme
- Cantidad disponible:
- 17643 Pieces
- Ficha de datos:
- IRL640S.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRL640S, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRL640S por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | - |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 180 mOhm @ 10A, 5V |
| La disipación de energía (máximo): | 3.1W (Ta), 125W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | *IRL640S |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRL640S |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1800pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 66nC @ 5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 17A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 17A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRL640S
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL640STRL | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | Investigación |
 |
IRL640PBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB | Investigación |
 |
STW29NK50ZD | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 500V 29A TO-247 | Investigación |
|
IRL640 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A TO-220AB | Investigación |
 |
IXTQ42N25P | IXYS | MOSFET N-CH 250V 42A TO-3P | Investigación |
|
IRL640STRLPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | Investigación |
 |
PSMN015-100YLX | Nexperia USA Inc. | MOSFET N-CH 100V LFPAK56 | Investigación |
|
IRL640STRR | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | Investigación |
|
IRL640STRRPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | Investigación |
|
IRL640SPBF | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK | Investigación |
 |
NTP45N06G | ON Semiconductor | MOSFET N-CH 60V 45A TO220AB | Investigación |
 |
IRL640L | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 200V 17A TO-262 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers