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IRL60SL216
- Número de pieza:
- IRL60SL216
- Descripción:
- MOSFET N-CH 60V 195A
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19016 Pieces
- Ficha de datos:
- IRL60SL216.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRL60SL216, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRL60SL216 por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 2.4V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-262-3 |
| Serie: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 1.95 mOhm @ 100A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 375W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres: | IRL60SL216 -ND SP001558100 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IRL60SL216 |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 15330pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 255nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-262-3 |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 60V 195A |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 195A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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