Comprar IRL2203NLPBF con BYCHPS
Compre con garantía
IRL2203NLPBF
- Número de pieza:
- IRL2203NLPBF
- Descripción:
- MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 17026 Pieces
- Ficha de datos:
- IRL2203NLPBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRL2203NLPBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRL2203NLPBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 3V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-262 |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 7 mOhm @ 60A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 3.8W (Ta), 180W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Otros nombres: | *IRL2203NLPBF SP001558636 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRL2203NLPBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 3290pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 60nC @ 4.5V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 30V 116A (Tc) 3.8W (Ta), 180W (Tc) Through Hole TO-262 |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 30V 116A TO-262 |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 116A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRL2203NLPBF
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IRL2203NSTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | Investigación |
|
IRL2203NSTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | Investigación |
 |
IRL2203NPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A TO-220AB | Investigación |
|
IRL2203NSTRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | Investigación |
|
IRL2203NSPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK | Investigación |
 |
IXTH52N65X | IXYS | MOSFET N-CH 650V 52A TO-247 | Investigación |
|
IPB037N06N3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 90A TO263-3 | Investigación |
 |
IRL2203NL | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 30V 116A TO-262 | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog