IRFU9110PBF
IRFU9110PBF
Número de pieza:
IRFU9110PBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18950 Pieces
Ficha de datos:
IRFU9110PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-251AA
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 25W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:*IRFU9110PBF
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:12 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFU9110PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.7nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 100V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-251AA
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET P-CH 100V 3.1A I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.1A (Tc)
Email:[email protected]

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