IRFU120Z
IRFU120Z
Número de pieza:
IRFU120Z
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
12842 Pieces
Ficha de datos:
IRFU120Z.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:IPAK (TO-251)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:190 mOhm @ 5.2A, 10V
La disipación de energía (máximo):35W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Otros nombres:*IRFU120Z
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFU120Z
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:310pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:10nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 100V 8.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET N-CH 100V 8.7A I-PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.7A (Tc)
Email:[email protected]

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