IRFS7530PBF
IRFS7530PBF
Número de pieza:
IRFS7530PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
14103 Pieces
Ficha de datos:
IRFS7530PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:3.7V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D2PAK
Serie:HEXFET®, StrongIRFET™
RDS (Max) @Id, Vgs:2 mOhm @ 100A, 10V
La disipación de energía (máximo):375W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Otros nombres:SP001552334
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFS7530PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:13703pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:411nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 60V 195A (Tc) 375W (Tc) Surface Mount D2PAK
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):6V, 10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:60V
Descripción:MOSFET N CH 60V 195A D2PAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:195A (Tc)
Email:[email protected]

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