Comprar IRFS4227PBF con BYCHPS
Compre con garantía
IRFS4227PBF
- Número de pieza:
- IRFS4227PBF
- Descripción:
- MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 19885 Pieces
- Ficha de datos:
- IRFS4227PBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFS4227PBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFS4227PBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 5V @ 250µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±30V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | D2PAK |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 26 mOhm @ 46A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 330W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Otros nombres: | 64-2121PBF 64-2121PBF-ND SP001568040 |
| Temperatura de funcionamiento: | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Surface Mount |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de pieza del fabricante: | IRFS4227PBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4600pF @ 25V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 98nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 200V 62A (Tc) 330W (Tc) Surface Mount D2PAK |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 62A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRFS4227PBF
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFS4228TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | Investigación |
|
IRFS4229PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | Investigación |
|
IRFS4229TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 250V 45A D2PAK | Investigación |
|
IRFS4228PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 83A D2PAK | Investigación |
|
IRFS41N15DTRR | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK | Investigación |
|
IRFS4310ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK | Investigación |
|
IRFS4410ZTRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK | Investigación |
|
IRFS4227TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK | Investigación |
|
IRFS4310TRRPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 130A D2PAK | Investigación |
|
IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | Investigación |
 |
IRFS4010-7PPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK-7 | Investigación |
|
IRFS4510PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 100V 61A D2PAK | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog