Comprar IRFS31N20DPBF con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 5.5V @ 250µA |
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Vgs (Max): | ±30V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | D2PAK |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 82 mOhm @ 18A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 3.1W (Ta), 200W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Otros nombres: | *IRFS31N20DPBF SP001567562 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IRFS31N20DPBF |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 2370pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 107nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 200V 31A (Tc) 3.1W (Ta), 200W (Tc) Surface Mount D2PAK |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 200V |
Descripción: | MOSFET N-CH 200V 31A D2PAK |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 31A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |