IRFR9110TR
IRFR9110TR
Número de pieza:
IRFR9110TR
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Contiene plomo / RoHS no conforme
Cantidad disponible:
14444 Pieces
Ficha de datos:
IRFR9110TR.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:D-Pak
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:1.2 Ohm @ 1.9A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 25W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFR9110TR
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:8.7nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:P-Channel 100V 3.1A (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount D-Pak
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:100V
Descripción:MOSFET P-CH 100V 3.1A DPAK
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:3.1A (Tc)
Email:[email protected]

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