IRFHM831TRPBF
IRFHM831TRPBF
Número de pieza:
IRFHM831TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
18302 Pieces
Ficha de datos:
IRFHM831TRPBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 25µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:PQFN (3x3)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:7.8 mOhm @ 12A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.5W (Ta), 27W (Tc)
embalaje:Tape & Reel (TR)
Paquete / Cubierta:8-PowerTDFN
Otros nombres:IRFHM831TRPBF-ND
IRFHM831TRPBFTR
SP001575868
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFHM831TRPBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1050pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:16nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 14A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 14A PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:14A (Ta), 40A (Tc)
Email:sales@bychips.com

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