Comprar IRFHM831TRPBF con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 2.35V @ 25µA |
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Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | PQFN (3x3) |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 7.8 mOhm @ 12A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 2.5W (Ta), 27W (Tc) |
embalaje: | Tape & Reel (TR) |
Paquete / Cubierta: | 8-PowerTDFN |
Otros nombres: | IRFHM831TRPBF-ND IRFHM831TRPBFTR SP001575868 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Surface Mount |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de pieza del fabricante: | IRFHM831TRPBF |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1050pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 16nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 30V 14A (Ta), 40A (Tc) 2.5W (Ta), 27W (Tc) Surface Mount PQFN (3x3) |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 30V |
Descripción: | MOSFET N-CH 30V 14A PQFN |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 14A (Ta), 40A (Tc) |
Email: | sales@bychips.com |