IRFH3702TR2PBF
IRFH3702TR2PBF
Número de pieza:
IRFH3702TR2PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12686 Pieces
Ficha de datos:
IRFH3702TR2PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:2.35V @ 25µA
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:8-PQFN (3x3)
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:7.1 mOhm @ 16A, 10V
La disipación de energía (máximo):2.8W (Ta)
embalaje:Original-Reel®
Paquete / Cubierta:8-PowerVDFN
Otros nombres:IRFH3702TR2PBFDKR
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Surface Mount
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Número de pieza del fabricante:IRFH3702TR2PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1510pF @ 15V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:14nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 30V 16A (Ta), 42A (Tc) 2.8W (Ta) Surface Mount 8-PQFN (3x3)
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:30V
Descripción:MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:16A (Ta), 42A (Tc)
Email:[email protected]

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