IRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF
Número de pieza:
IRFB9N65APBF
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descripción:
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
13610 Pieces
Ficha de datos:
1.IRFB9N65APBF.pdf2.IRFB9N65APBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:-
RDS (Max) @Id, Vgs:930 mOhm @ 5.1A, 10V
La disipación de energía (máximo):167W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:*IRFB9N65APBF
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:11 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFB9N65APBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1417pF @ 25V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:48nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 650V 8.5A (Tc) 167W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:650V
Descripción:MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:8.5A (Tc)
Email:[email protected]

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