Comprar IRFB7540PBF con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 3.7V @ 100µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-220 |
Serie: | HEXFET®, StrongIRFET™ |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 5.1 mOhm @ 65A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 160W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
Otros nombres: | SP001563988 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IRFB7540PBF |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4555pF @ 25V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 130nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 60V 110A (Tc) 160W (Tc) Through Hole TO-220 |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 6V, 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 60V |
Descripción: | MOSFET N CH 60V 110A TO-220AB |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 110A (Tc) |
Email: | [email protected] |