Comprar IRFB4410ZPBF con BYCHPS
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VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 150µA |
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Vgs (Max): | ±20V |
Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
Paquete del dispositivo: | TO-220AB |
Serie: | HEXFET® |
RDS (Max) @Id, Vgs: | 9 mOhm @ 58A, 10V |
La disipación de energía (máximo): | 230W (Tc) |
embalaje: | Tube |
Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
Otros nombres: | SP001564008 |
Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo de montaje: | Through Hole |
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
Número de pieza del fabricante: | IRFB4410ZPBF |
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 4820pF @ 50V |
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 120nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica de FET: | - |
Descripción ampliada: | N-Channel 100V 97A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 100V |
Descripción: | MOSFET N-CH 100V 97A TO-220AB |
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 97A (Tc) |
Email: | [email protected] |