IRFB3307PBF
IRFB3307PBF
Número de pieza:
IRFB3307PBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descripción:
MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
Sin plomo / Cumple con RoHS
Cantidad disponible:
12246 Pieces
Ficha de datos:
IRFB3307PBF.pdf

Introducción

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Especificaciones

VGS (th) (Max) @Id:4V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnología:MOSFET (Metal Oxide)
Paquete del dispositivo:TO-220AB
Serie:HEXFET®
RDS (Max) @Id, Vgs:6.3 mOhm @ 75A, 10V
La disipación de energía (máximo):200W (Tc)
embalaje:Tube
Paquete / Cubierta:TO-220-3
Otros nombres:*IRFB3307PBF
SP001555972
Temperatura de funcionamiento:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje:Through Hole
Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL):1 (Unlimited)
Tiempo de entrega estándar del fabricante:14 Weeks
Número de pieza del fabricante:IRFB3307PBF
Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:5150pF @ 50V
Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs:180nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica de FET:-
Descripción ampliada:N-Channel 75V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On):10V
Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las:75V
Descripción:MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C:130A (Tc)
Email:[email protected]

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