Comprar IRFB3307PBF con BYCHPS
Compre con garantía
IRFB3307PBF
- Número de pieza:
- IRFB3307PBF
- Descripción:
- MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB
- Estado Libre de plomo / Estado RoHS:
- Sin plomo / Cumple con RoHS
- Cantidad disponible:
- 12246 Pieces
- Ficha de datos:
- IRFB3307PBF.pdf
Introducción
BYCHIPS es el distribuidor de almacenamiento para IRFB3307PBF, tenemos las existencias para el envío inmediato y también está disponible para el suministro de larga duración. Por favor envíenos su plan de compra para IRFB3307PBF por correo electrónico, le ofreceremos el mejor precio según su plan.
Especificaciones
| VGS (th) (Max) @Id: | 4V @ 150µA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnología: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Paquete del dispositivo: | TO-220AB |
| Serie: | HEXFET® |
| RDS (Max) @Id, Vgs: | 6.3 mOhm @ 75A, 10V |
| La disipación de energía (máximo): | 200W (Tc) |
| embalaje: | Tube |
| Paquete / Cubierta: | TO-220-3 |
| Otros nombres: | *IRFB3307PBF SP001555972 |
| Temperatura de funcionamiento: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montaje: | Through Hole |
| Nivel de Sensibilidad a la Humedad (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tiempo de entrega estándar del fabricante: | 14 Weeks |
| Número de pieza del fabricante: | IRFB3307PBF |
| Capacitancia de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 5150pF @ 50V |
| Carga de puerta (Qg) (máx.) @ Vgs: | 180nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica de FET: | - |
| Descripción ampliada: | N-Channel 75V 130A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Voltaje de la Unidad (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Voltaje drenaje-fuente (VDS) Las: | 75V |
| Descripción: | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB |
| Corriente - Drenaje Continuo (Id) @ 25 ° C: | 130A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
partes relacionadas de IRFB3307PBF
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | Ver |
|---|---|---|---|---|
 |
IRFB3307 | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 130A TO-220AB | Investigación |
|
IRFB3306GPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 160A TO-220AB | Investigación |
|
IRFB33N15DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB | Investigación |
|
IRFB3306PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB | Investigación |
|
IRFB33N15D | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 150V 33A TO-220AB | Investigación |
|
IRFB3207ZGPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | Investigación |
|
IRFB3307ZGPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | Investigación |
|
IRFB3307ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | Investigación |
|
IRFB3207ZPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 120A TO-220AB | Investigación |
|
IRFB38N20DPBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 200V 43A TO-220AB | Investigación |
|
IRFB3607PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 75V 80A TO-220AB | Investigación |
|
IRFB3206PBF | Infineon Technologies | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220AB | Investigación |
Latest Noticias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog